როდესაც საქმე ნახევარგამტარების წარმოებას ეხება, განსაკუთრებით მოლეკულური სხივური ეპიტაქსიის (MBE), თერმული გარემოს სტაბილურობის შენარჩუნება ყველაფერია. თუ გსურთ სუფთა კრისტალები და თანაბარი ფენები, არსებობს'უბრალოდ, ამის გვერდის ავლა შეუძლებელია. HL Cryogenics-ში ჩვენ ვიცით, რომ გალიუმის ნიტრიდის (GaN) ზრდის რეალური სირთულე დამოკიდებულია იმაზე, თუ რამდენად კარგად აკონტროლებთ თხევადი აზოტის (LN) მიწოდებას.₂) კრიოშრუდებამდე. ეს'სიზუსტის თამაში—ყოველი წვეთი უნდა იყოს სუფთა, სუბგაცივებული სითხე, ზუსტად იმ წერტილამდე, სადაც მას მნიშვნელობა აქვს. თუ აზოტის აირისებრი ფორმა ჩაედინება—როგორც წესი, გადაცემის დროს სითბოს შეღწევის გამო—თქვენ გაქვთ ცხელი წერტილები და„ფურთხება„MBE კამერის შიგნით. ეს'ცუდი ამბავია GaN ფირის ხარისხისთვის.

სწორედ აქ არის ჩვენივაკუუმური იზოლირებული ფაზის გამყოფინაბიჯები წინ მიდის. თხევადი აზოტის მიწოდების მილის ბოლოში განთავსებით, ჩვენ ვიჭერთ და ვაშორებთ ამ გაზის ციმციმს, სანამ ის რაიმე დაზიანებას გამოიწვევს. შედეგი? სითხის მუდმივი, მკვრივი ნაკადი, ზუსტად ის, რაც გჭირდებათ. ის ჩვენსთან ერთად მუშაობსვაკუუმური იზოლირებული მილიდამოქნილი შლანგი, რომლებიც ორივე შექმნილია გარე სითბოს შეღწევის თავიდან ასაცილებლად. მილი იყენებს გაუმჯობესებულ ვაკუუმურ იზოლაციას და მრავალშრიან ტექნოლოგიას სიცივის შესანარჩუნებლად, რაც ამცირებს თხევადი აზოტის დანაკარგს ძველი სტილის ქაფის მილთან შედარებით. ხოლო იმ ადგილებისთვის, სადაც გჭირდებათ მოქნილობა ან გაქვთ რთული განლაგება, ჩვენივაკუუმური იზოლირებული მოქნილი შლანგიიხრება და მოძრაობს იზოლაციის ან უსაფრთხოების დაკარგვის გარეშე.

იმისათვის, რომ ვაკუუმის დონე წლების განმავლობაში კლდესავით მყარად შევინარჩუნოთ, ჩვენ ვეყრდნობით ჩვენსდინამიური ვაკუუმური ტუმბოს სისტემაეს'მუდმივად აკონტროლებს და ინარჩუნებს წნევას ვაკუუმის გარსში, ამიტომ იზოლაცია არასდროს გიღალატებთ. ნაკადის კონტროლისთვის, ჩვენ ვიყენებთ ჩვენს ზუსტად დაპროექტებულ ვაკუუმურ იზოლირებულ სარქველს. ის ხელს უშლის თერმულ მოკლე ჩართვას და ყინულის დაგროვებას ღეროზე და უზრუნველყოფს მკაცრ გამორთვას და ზუსტ დროსელს, თუნდაც -196 გრადუსზე.°C.